快速的规格
Lumerical MQW使设计人员能够为半导体设计广泛的增益元件。MQW在设计激光器、soa、电吸收调制器和其他增益驱动有源器件时提供了深刻的物理见解。
Lumerical MQW计算多量子阱栈的光学和电子性质
通过模拟原子薄半导体层中的量子力学行为,可以精确地表征多量子阱结构中的能带结构、增益和自发发射。MQW与Lumerical CHARGE、MODE和INTERCONNECT耦合,可以设计激光器、soa、电吸收调制器和其他增益驱动有源器件。
Lumerical MQW使设计人员能够为半导体设计广泛的增益元件。MQW在设计激光器、soa、电吸收调制器和其他增益驱动有源器件时提供了深刻的物理见解。
高度集成的光子系统是必要的,以满足苛刻的功率和性能目标
通过导入紧凑模型的能力,使用Ansys INTERCONNECT对SOA进行电路设计和仿真。使用Lumerical MQW设计自定义激光器和增益元件。
开发紧凑高效的soa是当前光子学行业的一个焦点。需要根据铸造测量校准的系统级模型,使工程师能够在电路级利用自定义soa,并确信其制造的电路将按预期工作。soa的紧凑模型的可用性受到所涉及物理的复杂性和有效解决问题的挑战的限制。有了一个紧凑的模型,已经参数化到HHI的代工厂现在可用,设计师可以避免昂贵的工作参数提取和校准。铸造校准模型为设计师提供了灵活性,同时节省了迭代的时间和成本,通常与定制高级设备相关。
Ansys Lumerical MQW的新功能包括支持提高生产力和建模各种增益元件的仿真精度:
精确模拟集成光子学常用III-V过程中可制作的电吸收调制器(EAM)的调制响应电路.
使用材料数据库中的材料定义多量子井结构,设置模拟控制和运行模拟(包括并行扫描)新的Ansys MQW用户界面.
电和热材料数据库在有限元IDE中现在包含III-V三元和四元合金的材料特性,用于MQW求解器的模拟,其中包括k.p.模型参数。
通过Lumerical MQW获得对激光的深入物理洞察和获得元素。当与Lumerical CHARGE、MODE和INTERCONNECT耦合时,Lumerical MQW提供了设计激光器、soa、电吸收调制器和其他增益驱动有源光子器件所需的所有仿真分析。MQW包括使用k.p方法的全耦合量子力学带结构计算、波函数和带图计算以及增益和自发发射分析。Lumerical MQW与完整的材料库一起工作,并将自动建立分数半导体合金模型。
复杂的激光模型仿真为更好的最终产品提供集成和性能表征。
建立复杂的激光模型,包括调谐和外部反馈效应,模拟和提取TWLM的关键参数,并表征稳态和瞬态激光性能。
Lumerical MQW提供了一个用k.p方法计算全耦合量子力学能带结构。
Lumerical MQW包括一个通用III-V半导体的综合材料库。自动建立模型的分数半导体合金(如。InGaAsP)。MQW是脚本可访问和可定制的。
对Ansys来说,所有用户,包括残疾人,都能访问我们的产品是至关重要的。因此,我们努力遵循基于美国访问委员会(Section 508)、Web内容可访问性指南(WCAG)和自愿产品可访问性模板(VPAT)的当前格式的可访问性要求。