快速的规格
Lumerical MQW使设计人员能够为半导体设计各种增益元件。MQW在设计激光器、soa、电吸收调制器和其他增益驱动有源器件时提供了深入的物理见解。
解决无法解决的问题
Lumerical MQW计算多量子阱堆的光学和电子特性
模拟原子薄半导体层中的量子力学行为，可以准确地描述多量子阱结构中的带结构、增益和自发辐射。MQW与Lumerical CHARGE、MODE和INTERCONNECT耦合，可实现激光器、soa、电吸收调制器和其他增益驱动有源器件的设计。
-
一维物理求解器
-
计算多量子阱堆的光学和电子特性
-
带结构特征
-
增益和自发辐射
-
波函数的计算 -
综合材料模型
-
带图计算 -
温度，场和应变效应
-
增益和自发辐射
Fraunhofer HHI使用Ansys交付了第一个SOA紧凑模型
高度集成的光子系统是满足苛刻的功率和性能目标所必需的
商业利益
能够导入紧凑模型，使用Ansys INTERCONNECT设计和模拟SOA电路。使用Lumerical MQW设计自定义激光器和获取元素。
开发紧凑高效的soa是目前光子学行业的焦点。需要将系统级模型校准为代工测量，使工程师能够在电路级利用定制soa，并确信其制造的电路将按预期工作。soa紧凑模型的可用性受到所涉及的物理复杂性和有效解决问题的挑战的限制。有了一个紧凑的模型，已经参数化到HHI的代工厂，现在可用，设计人员可以避免昂贵的参数提取和校准工作。铸造校准模型为设计人员提供了灵活性，同时节省了通常与定制高级设备相关的迭代时间和成本。
有什么新鲜事
Ansys Lumerical MQW的新功能包括支持提高工作效率和模拟精度，以建模各种增益元件:
激子的支持
精确模拟集成光子学常用III-V工艺制作的电吸收调制器(EAM)的调制响应电路．
MQW的新用户界面
使用材料数据库中的材料定义多量子阱结构，设置模拟控制和运行模拟(包括并行扫描)新的Ansys MQW用户界面．
增加了材料数据库
电学和热学材料数据库在有限元IDE中现在包括III-V三元和第四纪合金的材料属性，用于模拟MQW求解器，包括k.p.模型参数。
资源
发现激光模拟的力量
获得深入的物理洞察激光和获得元素Lumerical MQW。当与Lumerical CHARGE、MODE和INTERCONNECT相结合时，Lumerical MQW提供了设计激光器、soa、电吸收调制器和其他增益驱动有源光子器件所需的所有模拟分析。MQW包括使用k.p方法的全耦合量子力学带结构计算，波函数和带图计算，以及增益和自发发射分析。Lumerical MQW与完整的材料库一起工作，并将自动构建分数半导体合金模型。
关键特性
复杂的激光模型仿真为更好的最终产品提供集成和性能表征。
- 集成激光模拟
- 发光获得
- 综合材料模型
建立复杂的激光模型，包括调谐和外部反馈效应，模拟和提取TWLM的关键参数，并表征稳态和瞬态激光性能。
Lumerical MQW提供了一个采用k.p方法计算全耦合量子力学能带结构。
- 波函数和带图计算
- 增益和自发辐射
- 包含温度、场和应变效应
Lumerical MQW包括一个全面的材料库，具有常见的III-V半导体。自动建立模型的分数半导体合金(例如;InGaAsP)。MQW是脚本可访问和可定制的。
Ansys软件可访问
所有用户，包括残障人士，都能访问我们的产品，这对Ansys来说至关重要。因此，我们努力遵循基于美国访问委员会(第508条)、Web内容可访问性指南(WCAG)和当前格式的自愿产品可访问性模板(VPAT)的可访问性要求。
불가능을가능하게만들준비가되셨나?
불가능을가능하게만들준비가되셨나?
联系我们
문의하기
