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Ansys Lumerical MQW
量子阱增益模拟器

Ansys Lumerical MQW模拟量子力学行为,允许您准确表征多量子阱结构中的能带结构、增益和自发发射。

解决无法解决的问题

Lumerical MQW计算多量子阱堆叠的光学和电子特性

模拟原子薄半导体层中的量子力学行为使您能够准确表征多量子阱结构的能带结构,增益和自发发射。MQW与Lumerical CHARGE、MODE和INTERCONNECT相结合,可以设计激光器、soa、电吸收调制器和其他增益驱动的有源器件。

  • 基于物理的一维求解器
    基于物理的一维求解器
  • 计算多量子阱堆栈的光学和电子特性
    计算多量子阱堆栈的光学和电子特性
  • 表征频带结构
    表征频带结构
  • 增益与自发发射
    增益与自发发射
Ansys Lumerical MQW

快速的规格

流线型MQW使设计人员能够为半导体设计各种增益元件。MQW在设计激光器、soa、电吸收调制器和其他增益驱动有源器件时提供了深入的物理见解。

  • 波函数的计算
  • 综合材料模型
  • 频带图计算
  • 温度、场和应变效应
  • 增益与自发发射

Fraunhofer HHI推出首个SOA紧凑型模型

高度集成的光子系统是满足苛刻的功率和性能目标所必需的

2021 - 03 -弗劳恩霍夫hhi.jpg

商业利益

具有导入紧凑模型的能力,使用Ansys INTERCONNECT设计和模拟SOA电路。使用Lumerical MQW设计定制激光器和增益元件。

开发紧凑、高效的soa是当前光电子行业关注的焦点。有必要对系统级模型进行校准,以使工程师能够在电路级利用定制soa,并确信他们制造的电路将按预期工作。soa紧凑模型的可用性受到所涉及的物理复杂性和有效解决问题的挑战的限制。现在有了一个紧凑的模型,已经参数化到HHI的铸造厂,设计人员可以避免昂贵的参数提取和校准工作。铸造厂校准模型为设计人员提供了灵活性,同时节省了通常与定制先进设备相关的迭代时间和成本。

有什么新鲜事

Ansys Lumerical MQW的新功能包括支持提高生产率和仿真精度,用于建模各种增益元素:

激子的支持
激子的支持

精确模拟了集成光子学中常用III-V工艺制造的电吸收调制器(EAM)的调制响应电路

MQW的新用户界面
MQW的新用户界面

使用材料数据库中的材料定义多量子阱结构,设置仿真控制并使用新的Ansys MQW用户界面

增加了材料数据库
增加了材料数据库

电学和热学材料数据库在有限元IDE中,现在包括III-V三元和四元合金的材料特性,用于使用MQW求解器(包括kp模型参数)进行模拟。

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应用程序

采用行波激光模型的DFB激光器(TWLM)

本应用实例将模拟1 / 4波移折射率耦合分布反馈(DFB)激光器,并与文献结果进行比较。

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应用程序

多量子阱(MQW)边缘发射激光器

在这个例子中,我们演示了模拟InGaAsP-InP多量子阱(MQW)边缘发射激光器(EEL)的L-I曲线的工作流程。

发现激光模拟的力量

通过Lumerical MQW获得对激光和增益元素的深入物理洞察。当与Lumerical CHARGE、MODE和INTERCONNECT相结合时,Lumerical MQW提供了设计激光器、soa、电吸收调制器和其他增益驱动的有源光子器件所需的所有仿真分析。MQW包括使用k.p方法的全耦合量子力学能带结构计算、波函数和能带图计算以及增益和自发发射分析。Lumerical MQW与完整的材料库一起工作,并将自动构建分数半导体合金的模型。

关键特性

复杂的激光模型仿真为更好的最终产品提供了集成和性能表征。

  • 集成激光仿真
  • 发光获得
  • 综合材料模型

建立复杂的激光模型,包括调谐和外部反馈效应,模拟和提取TWLM的关键参数,并表征稳态和瞬态激光性能。

流线型MQW提供了一个利用k.p方法计算全耦合量子力学能带结构。

  • 波函数和带图计算
  • 增益和自发发射
  • 结合温度,场和应变的影响

Lumerical MQW包括一个综合的材料库与常见的III-V半导体。自动建立分数半导体合金的模型(例如:InGaAsP)。MQW是脚本可访问和可定制的。


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应用程序

采用行波激光模型的DFB激光器(TWLM)

本应用实例将模拟1 / 4波移折射率耦合分布反馈(DFB)激光器,并与文献结果进行比较。

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应用程序

多量子阱(MQW)边缘发射激光器

在这个例子中,我们演示了模拟InGaAsP-InP多量子阱(MQW)边缘发射激光器(EEL)的L-I曲线的工作流程。


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MQW产品参考手册

多量子阱(MQW)参考手册提供了产品功能的详细描述。

Ansys软件可访问

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