快速的规格
Ansys RaptorH在预lvs阶段提取电磁模型，用于任意布线和布局，包括平面(实体或穿孔)、圆形、螺旋电感和MiM/MoM电容器，并自动设置边界条件。GUI允许点击网络选择和假设分析。
硅上电磁建模
硅设计中的电磁耦合和干扰建模
Ansys RaptorH是一款电磁建模软件，能够建模电网，全定制块，螺旋电感器和时钟树。其高速分布式处理提供了精确的、经过硅验证的s参数和RLCk模型。RaptorH可以在设计阶段分析部分和未完成的布局，并使其易于使用通用用途基于发动机或针对硅结构的硅优化RaptorX发动机。
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选择HFSS或猛禽引擎
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读取加密的铸造技术文件
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适用于所有电路模拟器
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经过硅验证的精确EM模型
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兼容所有IC设计平台和流程
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最高精度 -
高容量 -
读取加密的Foundry文件
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分布式处理 -
自动边界条件 -
针对硅进行优化
优化高速串行链路串扰
英伟达应用Ansys Raptor EM分析降低硅上高速串行链路的风险。
随着芯片尺寸、复杂性和工作频率的增长，准确分析电磁耦合以确保硅工作变得至关重要。
Ansys RaptorH电磁建模软件是一款针对半导体电路分析进行优化的软件。它通过结合金标准Ansys HFSS发动机和硅优化的Ansys RaptorH发动机，实现了最高的精度。通过对用户透明的选择，RaptorH提供了无与伦比的能力来建模任意复杂的硅结构。
RaptorH得到所有主要硅晶片代工厂的支持，可以读取加密的技术文件，以使用HFSS或Raptor引擎进行分析。
使用RaptorH, RLCk建模和仿真在几分钟内完成，而不是几个小时。此外，其速度随核数的增加而线性加速。RaptorH每年都会将其建模引擎的准确性与数百个硅器件的实验室测量数据进行对比。目前测量的设备数量超过3000个，覆盖频率高达110GHz。
硅设计中的电磁耦合和干扰建模
Ansys RaptorH电磁(EM)建模软件针对半导体电路分析进行了优化，并结合了这两个金标准，实现了最高的精度Ansys基于发动机与硅优化的Ansys RaptorH发动机。RaptorH无与伦比的容量和建模速度计算RLCk寄生复杂电路，如电网，全定制块，螺旋电感，MiM/MoM电容器和时钟树。RaptorH不需要边界条件或特殊端口，GUI支持简单的图形化网络选择。RaptorH适用于所有电路模拟器物理实现平台。
关键特性
最快速和最准确的电磁提取和建模前lvs硅器件。
- 包括HFSS发动机
- 读取加密的铸造技术文件
- 无与伦比的速度和容量
- 对任意硅结构建模
- 压缩RLCk寄生
- 交互式GUI网络选择
Ansys RaptorH让您透明地选择基于发动机和猛禽发动机。这种发动机组合提供了超高的容量，结合硅精确的结果和快速的建模时间。
随着电路复杂性的增加，您的设计可能包括数百个端口或网络。RaptorH是市场上唯一的产品，由于其无与伦比的容量，可以计算RLCk寄生高度复杂的电路，如电网，全定制块，螺旋电感器和时钟树。
Ansys RaptorH可以准确地提取任何任意的路由和布局，包括电网，平面(实心和穿孔)，圆形和MiM/MoM电容器。它不需要定义边界条件或特殊类型的端口。RaptorH生成被动、因果模型作为s参数模型(用于交流、谐波平衡和SP分析)和高度紧凑的RLCk网络列表模型，适用于瞬态、拍摄和噪声分析。
使用Ansys RaptorH, RLCk建模和仿真在几分钟内完成，而其他解决方案可能需要数小时。此外，其速度随核数的增加而线性加速。
Ansys每年都会根据数百个硅器件的实验室测量数据对RaptorH的准确性进行基准测试。测量的设备池现在超过3000个，涵盖了所有生产技术节点。模型以测量为基准，最高可达110 GHz。
Ansys RaptorH为分析半导体电路进行了优化，并得到了所有主要硅晶圆代工厂的良好支持。它可以读取已被铸造厂加密的技术描述文件，并可以使用这些文件与HFSS或Raptor引擎建立分析。
Ansys RaptorH的GUI允许基于点击的网络选择过程，并可以使用现有的布局引脚和标签。它可以很容易地添加或排除网络，以便用“假设”分析调试电路和评估块之间的串扰。RaptorH还支持常规作业的批处理运行。RaptorH集成了所有流行的设计和物理实现平台。
Ansys RaptorH集成到所有主要EDA供应商的LVS/RC Extraction流程中，并提供与流行的自定义布局工具的指向点击集成。
Ansys软件可访问
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