快速的规格
Ansys Exalto后lvs RLCk提取可以让IC设计人员准确预测电磁和衬底耦合效应，在之前“太大而无法分析”的电路上进行标记。提取的模型被回注到原理图或网络列表中，并支持所有电路模拟器。
RLCk提取
电、磁和衬底串扰的寄生模型提取
Ansys Exalto是lvs后RLCk提取软件解决方案，通过提取集总元素寄生，生成电、磁和基板耦合的精确模型，使IC设计人员能够准确捕获设计层次结构中不同块之间的未知串扰。Exalto与大多数LVS工具接口，可以作为您选择的RC提取工具的补充。
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非常复杂的布局的能力
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与LVS工具的接口
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结果与数字LPE相结合
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指向和点击交互界面
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电磁耦合模型 -
电源和信号电迁移 -
包括衬底耦合 -
补充RC提取器
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LVS接口 -
反向注释到Netlist -
跨层次耦合 -
假定场景
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非常紧凑的型号 -
s -参数和RLCk模型
为串音优化高速串行链路
英伟达应用Ansys Raptor EM分析来降低硅上高速串行链路的风险
以前“太大而无法分析”的大型复杂电路现在可以通过Exalto的高速和高容量的硅器件EM模型来实现。
在现代硅系统中，射频和高速电路的激增已经将电磁耦合提高到一阶效应，必须精确建模才能可靠地实现硅的成功。但是，生成适合电磁耦合分析的精确寄生模型比传统的RC提取要复杂得多。这些电磁模型的尺寸给模拟器带来了挑战。
Exalto前所未有的能力使您能够轻松地分析极其复杂的布局。其独特的网表缩减方法使输出网表非常紧凑，减轻了任何模拟问题。这使得彻底分析复杂的电磁相互作用成为可能，而这些相互作用以前是通过昂贵的过度设计和防护带来避免的。结果是一个更小，更便宜的设计，更可靠的性能特征。
Exalto通过补充常规的提取工具和与所有LVS工具的无缝接口，增强了现有的设计流程。
硅上电、磁和衬底串扰的寄生模型提取
Ansys Exalto通过提取集总元素寄生，生成电、磁和基板耦合的精确模型，捕获网络和分层块之间的未知串扰。Exalto可以在不同的层次级别之间建模相声，并运行多个“假设”场景，而无需更改您的原理图。使用“指向-点击”界面，使用大型数字总线/控制信号的敏感射频电路内的复杂耦合很容易捕获。独特的网表减少方法减少输出网表超过90%。Exalto与所有LVS工具接口，并使用s参数和RLCk寄生对RC提取器进行补充，这些寄生对部分或完整的设计进行了回注释。
关键特性
提取集总元件寄生率，为大型复杂硅电路生成精确的电、磁和衬底耦合模型
- 容量和速度高
- 补充RC提取器
- 高度紧凑的型号
- 跨层次耦合
- LVS接口
- 交互式图形界面
生成无源、因果直流精确s参数模型，适用于交流、谐波平衡和SP分析，以及无源、因果、高度紧凑的RLCk网表模型，适用于瞬态、射击和噪声分析。SPICE格式的RLCk网表总是可以模拟的。
Ansys Exalto可以提取叠加电感与底层器件之间的完整解析电容耦合。它利用现有的铸造特性的电容器和晶体管内部器件模型，然后只将总耦合电容集中到器件终端。Exalto具有提取全电容耦合的能力和速度，甚至可以提取数千个设备。
Ansys Exalto是建立在Ansys的建模引擎-最快的电磁引擎在行业。这意味着，一个600毫米X 400毫米，密集的7金属层电网的电磁提取需要几分钟;功率放大器中所有螺旋线到关键数字线之间的耦合模型需要几秒钟。
独特的网列表缩减方法使输出网列表非常紧凑，与本机网列表相比，元素和节点减少了90%以上。传统的RC提取器加上高频(Lk)选项会遇到容量瓶颈，因为输出网络列表太大，无法模拟。
使用不同的关键网集运行多个“假设”场景，而不接触测试台架示意图。
Ansys Exalto与第三方LVS工具无缝对接。可与第三方LPE工具的输出自动组合。Exalto还支持“提取视图”和“提取网络列表”。
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